Etazini devlope materyèl semi-conducteurs ak gwo konduktiviti tèmik pou siprime chofaj chip.
Avèk ogmantasyon nan kantite tranzistò nan chip la, pèfòmans informatique nan òdinatè a ap kontinye amelyore, men densifikasyon segondè a tou pwodui anpil tach cho.
San yo pa bon teknoloji jesyon tèmik, nan adisyon a ralanti vitès operasyon an nan processeur a ak diminye fyab la, gen tou rezon pou Anpeche surchof ak mande pou plis enèji, kreye pwoblèm enèji inefikasite. Yo nan lòd yo rezoud pwoblèm sa a, University of California, Los Angeles te devlope yon nouvo materyèl semi-conducteurs ak konduktiviti tèmik trè wo nan 2018, ki konpoze de asenide bor san defo ak fosfid bor, ki sanble ak materyèl ki egziste deja dissipation chalè tankou dyaman ak carbure Silisyòm. rapò, ak plis pase 3 fwa konduktiviti tèmik la.
Nan mwa jen 2021, University of California, Los Angeles, te itilize nouvo materyèl semi-conducteurs pou konbine avèk chips òdinatè ki gen gwo pouvwa pou siprime jenerasyon chalè chips yo, kidonk amelyore pèfòmans òdinatè. Ekip rechèch la mete semi-kondiktè arsenide bor ant chip la ak koule chalè a kòm yon konbinezon de koule chalè a ak chip la amelyore efè a dissipation chalè, ak te pote soti rechèch sou pèfòmans nan jesyon tèmik nan aparèy aktyèl la.
Apre lyezon bore arsenide substrate a nan lajè enèji gap gallium nitrure semi-conducteurs, li te konfime ke konduktiviti nan tèmik nan koòdone nan nitrure galyòm / bor arsenide te osi wo ke 250 MW / m2K, ak rezistans nan koòdone tèmik te rive nan yon nivo trè piti. Substra arsenide bor la pi lwen konbine avèk yon chip tranzistò avanse segondè mobilite elektwon ki konpoze de nitrure aliminyòm / nitrure galyòm, epi li konfime ke efè dissipation chalè a siyifikativman pi bon pase sa yo ki an dyaman oswa carbure Silisyòm.
Ekip rechèch la te opere chip la nan kapasite maksimòm nan, epi mezire kote cho a soti nan tanperati chanm nan tanperati ki pi wo a. Rezilta eksperimantal yo montre ke tanperati a nan koule chalè dyaman an se 137 ° C, koule nan chalè carbure Silisyòm se 167 ° C, ak koule nan chalè arsenide bor se sèlman 87 ° C. Ekselan konduktiviti tèmik nan koòdone sa a soti nan estrikti inik band fononik arsenide bor ak entegrasyon koòdone la. Materyèl arsenide bor la pa sèlman gen gwo konduktiviti tèmik, men tou, gen yon ti koòdone rezistans tèmik.
Li ka itilize kòm yon koule chalè pou reyalize pi wo pouvwa opere aparèy. Li espere yo dwe itilize nan long distans, gwo kapasite kominikasyon san fil nan tan kap vini an. Li ka itilize nan jaden elektwonik pouvwa segondè frekans oswa anbalaj elektwonik.
Tan pòs: Aug-08-2022